5月8日的Home报道说，韩国媒体“韩国伊尔博”在当地时代的报告中指出，两个主要的韩国记忆制造商三星电子和SK Hynix正在考虑将混合键合技术引入下一代HBM内存-HBM4。资源表明，预计三星电子将在明年年初在HBM4内存中使用混合键合，而SK Hynix可以进口HBM4E。 Micron和其他人计划考虑以颠簸导入迭代版本：与起义无关。与现有HBM存储器使用的键键合相比，自由混合键合有助于降低HBM存储器堆栈层的高度，并支持更多的堆叠层。它还具有可以实现更高交付率的电气性能优势。 Home指出，半导体设备BESI在今年4月发布的年度报告文件中说，即使HBM使用混合键合的记忆也将比预期晚了一年。它仍将在2026年以16HI HBM4（E）发布。